退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

假设遇到这样的状况，首先要检查内罩的压紧螺栓有没有拧紧，把一切的压紧螺栓都紧一遍之后，再次进行密检，---“密检改写”，然后---“重新密检”，假设仍是失利的话，就进行以下的操作：间断主动程序，进入到手动状态，把一切的进出气阀门都关闭，通过二次补氮管路想罐里面通入氮气，知道炉里面的压力到达75mbar间断，然后用泡沫检查的方法，来检查每一个接口以及管路上面的阀门等零件，找出漏点，确定是密封件出现破损，仍是成果松动或者是阀门损坏，要及时的进行处理。